H5ANAG8NCJR-XNC vs H5ANAG8NCR-RDC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NCJR-XNC von SK hynix und H5ANAG8NCR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ Aktiv
SK hynix
H5ANAG8NCR-RDC H5ANAG8NCR-RDC - DDR4 SDRAM 16Gb 2Gx8 1.2V | SK hynix

H5ANAG8NCR-RDC - DDR4 SDRAM 16Gb 2Gx8 1.2V | SK hynix

H5ANAG8NCR-RDC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCR-RDC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $65,63 $1,00
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Speicherorganisation 2G x 8 2G x 8
Datenrate 3200 MT/s (DDR4-3200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Gehäuse FBGA-78 (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
Betriebstemperatur 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Montageart Surface Mount Surface Mount
Process Node 1z nm (non-EUV) —
Die Bit Density 0.296 Gb/mm2 —
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) 25.6 GB/s at DDR4-3200 —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] [DATA_NEEDED: refresh specification]
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Base Part Number Family H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) —
Speed Grade Suffix -XNC (0~95C commercial) —
Schnittstelle — DDR4 (fully synchronous, both clock edges)
Family — H5ANAG8N 16Gb DDR4
Application Segment — Main memory (server, networking, industrial, embedded)
Max Data Rate — [DATA_NEEDED: speed bin data rate in MT/s]
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank/bank group count]
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datenblätter & Ressourcen

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