H5ANAG8NCR-RDC vs H5ANAG8NCMR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCR-RDC par SK hynix et H5ANAG8NCMR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG8NCR-RDC H5ANAG8NCR-RDC - DDR4 SDRAM 16Gb 2Gx8 1.2V | SK hynix

H5ANAG8NCR-RDC - DDR4 SDRAM 16Gb 2Gx8 1.2V | SK hynix

H5ANAG8NCR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NCR-RDC H5ANAG8NCMR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,00 $8,05
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Organisation de la mémoire 2G x 8 —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Boîtier 78-ball FBGA FBGA-78
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface DDR4 (fully synchronous, both clock edges) —
Family H5ANAG8N 16Gb DDR4 —
Application Segment Main memory (server, networking, industrial, embedded) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Max Data Rate [DATA_NEEDED: speed bin data rate in MT/s] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin]
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank/bank group count] 4
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Taille de mémoire — 16 Gb
Memory Organization — 2G x 8
Débit de données — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Speed Grade — VK (per SK hynix speed-bin suffix)
Power Class — Normal Power
Banks Total — 16
Packaging — [DATA_NEEDED: standard packing quantity]
Manufacturer Process — CMOS DRAM

Fiches techniques et ressources

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