H5ANAG8NCR-RDC vs H5ANAG8NCMR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NCR-RDC von SK hynix und H5ANAG8NCMR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG8NCR-RDC H5ANAG8NCR-RDC - DDR4 SDRAM 16Gb 2Gx8 1.2V | SK hynix

H5ANAG8NCR-RDC - DDR4 SDRAM 16Gb 2Gx8 1.2V | SK hynix

H5ANAG8NCR-RDC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NCR-RDC H5ANAG8NCMR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,00 $8,05
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Speicherorganisation 2G x 8 —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Gehäuse 78-ball FBGA FBGA-78
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle DDR4 (fully synchronous, both clock edges) —
Family H5ANAG8N 16Gb DDR4 —
Application Segment Main memory (server, networking, industrial, embedded) —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Max Data Rate [DATA_NEEDED: speed bin data rate in MT/s] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin]
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank/bank group count] 4
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Speichergröße — 16 Gb
Memory Organization — 2G x 8
Datenrate — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Speed Grade — VK (per SK hynix speed-bin suffix)
Power Class — Normal Power
Banks Total — 16
Packaging — [DATA_NEEDED: standard packing quantity]
Manufacturer Process — CMOS DRAM

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