H5ANAG8NCR-VKC vs H5ANAG8NCJR-XNC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCR-VKC par SK hynix et H5ANAG8NCJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG8NCR-VKC | H5ANAG8NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $28,13 | $65,63 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | [DATA_NEEDED: organization (e.g. 2G x8)] | — |
| Taille de mémoire | 16 Gbit | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Nominal Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Max Data Rate | [DATA_NEEDED: Mbps per pin for VKC grade] | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +95C |
| Boîtier | FBGA-78 | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| Reset Function | Asynchronous reset | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC / CA Parity | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: IDD current spec] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 2G x 8 |
| Débit de données | — | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Process Node | — | 1z nm (non-EUV) |
| Die Bit Density | — | 0.296 Gb/mm2 |
| Peak Bandwidth (per 64-bit channel) | — | 25.6 GB/s at DDR4-3200 |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Base Part Number Family | — | H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) |
| Speed Grade Suffix | — | -XNC (0~95C commercial) |