H5ANAG8NCR-VKC vs H5ANAG8NCJR-XNC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG8NCR-VKC メーカー: SK hynix および H5ANAG8NCJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG8NCR-VKC H5ANAG8NCR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM 1.2V FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM 1.2V FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCR-VKC ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG8NCR-VKC H5ANAG8NCJR-XNC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $28.13 $65.63
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization [DATA_NEEDED: organization (e.g. 2G x8)] —
メモリサイズ 16 Gbit —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Nominal Supply Voltage 1.2 V —
Max Data Rate [DATA_NEEDED: Mbps per pin for VKC grade] —
動作温度 0C to +85C 0C to +95C
パッケージ FBGA-78 FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
Reset Function Asynchronous reset —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC / CA Parity Yes —
Auto Precharge Yes —
Standby Current [DATA_NEEDED: IDD current spec] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Density — 16 Gbit
メモリ構成 — 2G x 8
データレート — 3200 MT/s (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Process Node — 1z nm (non-EUV)
Die Bit Density — 0.296 Gb/mm2
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) — 25.6 GB/s at DDR4-3200
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh specification]
Base Part Number Family — H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM)
Speed Grade Suffix — -XNC (0~95C commercial)

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