H5TC4G63CFR-H9I vs H5TC4G63CFR-H9J Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-H9I par SK hynix et H5TC4G63CFR-H9J par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9J
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $7,20 $6,00
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Tension d'alimentation 1.35 V —
I/O Voltage 1.35 V —
Débit de données 1866 Mbps (PC3-14900) —
Boîtier 96-ball TFBGA 96-ball TFBGA
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) Industrial
Number of Terminals 96 96
Memory Width 16 bits —
Lead-Free Yes Yes
Sans halogène Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
Latence CAS Programmable (11, 12, 13) —
Burst Length 8 and 4 —
On-Die Termination Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Speed Grade — -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes

Fiches techniques et ressources

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