H5TC4G63CFR-PBL vs H5TC4G63AFR-PBR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-PBL par SK hynix et H5TC4G63AFR-PBR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ Actif
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63AFR-PBR
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,50 $5,91
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4 Gb (256M x 16) —
Tension d'alimentation 1.35 V 1.35V (1.5V compatible)
Débit de données 1600 Mbps (PC3L-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
Boîtier 96-ball FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (PBGA96)
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Form BALL —
Burst Length 8 8 (BL8) with burst chop (BC4)
Latence CAS 11, 12, 13 11
Number of Banks 8 8
Refresh Period 7.8 us at 85C —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Sans halogène Yes Yes
Organisation de la mémoire — 256M x 16
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
Clock Frequency — 800 MHz
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15
Température de fonctionnement — 0C to +95C

Fiches techniques et ressources

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