H5TC4G63CFR-PBL vs H5TC4G63AFR-PBR 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63CFR-PBL 제조: SK hynix 및 H5TC4G63AFR-PBR 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ 활성
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63AFR-PBR
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $5.91
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 크기 4 Gb (256M x 16) —
공급 전압 1.35 V 1.35V (1.5V compatible)
데이터 속도 1600 Mbps (PC3L-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
패키지 96-ball FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (PBGA96)
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Form BALL —
Burst Length 8 8 (BL8) with burst chop (BC4)
CAS 레이턴시 11, 12, 13 11
Number of Banks 8 8
Refresh Period 7.8 us at 85C —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
할로겐 프리 Yes Yes
메모리 구성 — 256M x 16
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
Clock Frequency — 800 MHz
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15
동작 온도 — 0C to +95C

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