H5TC4G63MFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63MFR-PBA par SK hynix et H5TC4G63AFR-PBA par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63MFR-PBA | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $3,98 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | 1.35V |
| Débit de données | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | Programmable | 11, 12, 13 |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Interface | — | 16-bit I/O |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |