H5TC4G63MFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5TC4G63MFR-PBA от SK hynix и H5TC4G63AFR-PBA от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5TC4G63MFR-PBA | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $3,98 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | 1.35V |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | Programmable | 11, 12, 13 |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Диапазон рабочих температур | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Интерфейс | — | 16-bit I/O |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |