IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUC80N04S6N036ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6L020ATMA1 par Infineon et IAUC80N04S6N036ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC80N04S6N036ATMA1 IAUC80N04S6N036ATMA1 - 40V 80A OptiMOS-6 N-MOSFET | Infineon

IAUC80N04S6N036ATMA1 - 40V 80A OptiMOS-6 N-MOSFET | Infineon

IAUC80N04S6N036ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC80N04S6N036ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $0,86
FET Type N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) -55 C to +175 C
Boîtier PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
Statut RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS-6 40 V
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 80 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 50 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 3.6 mOhm
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V]
AEC-Q101 Qualification — Qualified (Automotive)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Terminal Finish — Tin (Sn) (e3 per JESD-609)
Peak Reflow Temperature — 260 C (per JEDEC J-STD-020)
Compliance - RoHS — Compliant
Compliance - REACH — Compliant

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