IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUC80N04S6N036ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC100N04S6L020ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC80N04S6N036ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC80N04S6N036ATMA1 IAUC80N04S6N036ATMA1 - 40V 80A OptiMOS-6 N-MOSFET | Infineon

IAUC80N04S6N036ATMA1 - 40V 80A OptiMOS-6 N-MOSFET | Infineon

IAUC80N04S6N036ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC80N04S6N036ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.86 $0.86
FET Type N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (TJ) -55 C to +175 C
パッケージ PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
RoHS ステータス Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS-6 40 V
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 80 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 50 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 3.6 mOhm
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V]
AEC-Q101 Qualification — Qualified (Automotive)
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Terminal Finish — Tin (Sn) (e3 per JESD-609)
Peak Reflow Temperature — 260 C (per JEDEC J-STD-020)
Compliance - RoHS — Compliant
Compliance - REACH — Compliant

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