IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6L020ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N006ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $0,95
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 5 (trench)
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) -55 C to +175 C
Boîtier PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8-43
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
Statut RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 175 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Junction Temperature Max — 175 C
Power Dissipation Max (Pd) — [DATA_NEEDED: Pd max]
Gate Charge Total (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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