IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUT300N10S5N015ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6L020ATMA1 par Infineon et IAUT300N10S5N015ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $4,10
FET Type N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C
Boîtier PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-HSOF-8-1 (HSOF-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
Statut RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
RDS(on) (typ, VGS=10V) — 1.5 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Niveau MSL — MSL1 (260°C peak reflow)
RoHS Compliance — RoHS compliant (Green product)
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Enhancement-mode

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