IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUT300N10S5N015ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N04S6L020ATMA1 por Infineon e IAUT300N10S5N015ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $4,10
FET Type N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C
Encapsulamento PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-HSOF-8-1 (HSOF-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
Status RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
RDS(on) (typ, VGS=10V) — 1.5 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Nível MSL — MSL1 (260°C peak reflow)
RoHS Compliance — RoHS compliant (Green product)
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Enhancement-mode

Fichas técnicas e recursos

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