IAUC100N04S6N022ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6N022ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L050HATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N04S6N022ATMA1 | IAUCN04S7L050HATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,82 | $0,83 |
| Technology | OptiMOS 6, N-Channel MOSFET | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 100 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 75 W | — |
| R_DS(on) (typ at V_GS=10V) | 2.2 mOhm | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | — |
| Polarity | N-Channel enhancement mode | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (IAUC family) | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Gate Threshold V_GS(th) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge Q_g | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS™ 7 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | — | 65 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.04 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 40 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |