IAUC100N10S5N040ATMA1 vs IPD320N20N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N10S5N040ATMA1 par Infineon et IPD320N20N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ ActifInfineon
IPD320N20N3GATMA1 - 200V 34A OptiMOS3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD320N20N3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N10S5N040ATMA1 | IPD320N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,62 | $1,34 |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel |
| Technology | OptiMOS-5 | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 100 A (package-limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 4 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 167 W @ TC=25C | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.9 K/W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | -55 C to +175 C (Tj) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (up to 260C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche tested | — |
| AOI Compatibility | Feasible for Automatic Optical Inspection | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 34 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 136 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 32 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | — | Excellent (per datasheet) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| JEDEC Qualification | — | Qualified for target application |
| Channel Mode | — | Enhancement mode |
| Gate Threshold Level | — | Normal level (per datasheet title) |