IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUCN10S7L180ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5L015ATMA1 par Infineon et IAUCN10S7L180ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N06S5L015ATMA1 | IAUCN10S7L180ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,92 | $0,58 |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 235 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | 1.5 mΩ | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | 88 nC | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 167 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (Tj) | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) |
| Type de montage | Surface Mount (exposed pad) | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Statut RoHS | Compliant | EU RoHS Compliant with Exemption |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | VGS = 10 V, ID = 50 A | — |
| Typical Application | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS™ 7 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Number of Channels | — | 1 |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 39 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 58 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 16.1 mΩ @ VGS=10 V |
| Typical RDS(on) | — | 18 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.6 V |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (±16 V per JLCPCB listing) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 11 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 272 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 668 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 7 pF |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualified | — | Yes |
| Configuration | — | Single Quad Drain Triple Source |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Part Status | — | Active |