IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUCN10S7L180ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUC120N06S5L015ATMA1 от Infineon и IAUCN10S7L180ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN10S7L180ATMA1 IAUCN10S7L180ATMA1 - 100V 39A 18mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IAUCN10S7L180ATMA1 - 100V 39A 18mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IAUCN10S7L180ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUCN10S7L180ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,92 $0,58
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 235 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg, typ) 88 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 167 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C (Tj) —
Корпус PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Тип монтажа Surface Mount (exposed pad) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Статус RoHS Compliant EU RoHS Compliant with Exemption
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions VGS = 10 V, ID = 50 A —
Typical Application Automotive DC-DC, battery switches, motor drives —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS™ 7
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Number of Channels — 1
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 39 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 16.1 mΩ @ VGS=10 V
Typical RDS(on) — 18 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.6 V
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (±16 V per JLCPCB listing)
Total Gate Charge (Qg) — 11 nC
Input Capacitance (Ciss) — 272 pF
Output Capacitance (Coss) — 668 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7 pF
Рабочая температура перехода — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualified — Yes
Configuration — Single Quad Drain Triple Source
Channel Mode — Enhancement
Part Status — Active

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену