IAUC120N06S5N011ATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5N011ATMA1 par Infineon et IAUC120N04S6N009ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5N011ATMA1 - 60V 1.1mΩ OptiMOS-5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5N011ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N06S5N011ATMA1 | IAUC120N04S6N009ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,62 | $1,60 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V) | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 310 A (Tj) | — |
| On-Resistance Rds(on) max | 1.1 mΩ at Vgs=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total value] | — |
| Power Dissipation (Pd) | 188 W (Tc=25°C) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (Tj) | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Part Family | — | OptiMOS 6 40V |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 120 A |
| Courant de drain pulsé | — | [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 0.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Total Gate Charge Q_g typ | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 150 W |
| Thermal Resistance R_thJC max | — | 1.0 K/W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per Infineon product page) |