IAUC120N06S5N011ATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC120N06S5N011ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N04S6N009ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC120N06S5N011ATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1 - 60V 1.1mΩ OptiMOS-5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N011ATMA1 - 60V 1.1mΩ OptiMOS-5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N011ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC120N06S5N011ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.62 $1.60
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 —
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V) —
Pulsed Drain Current (Idm) 310 A (Tj) —
On-Resistance Rds(on) max 1.1 mΩ at Vgs=10 V —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total value] —
Power Dissipation (Pd) 188 W (Tc=25°C) —
動作温度範囲 -55°C to +175°C (Tj) —
パッケージ PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Part Family — OptiMOS 6 40V
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
パルスドレイン電流 — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

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