IAUC120N06S5N017ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5N017ATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5N017ATMA1 - 60V 120A 1.7mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5N017ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC120N06S5N017ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,32 | $0,41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 757 A | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 1.7 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 95.9 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6.952 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 84 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1.507 nF | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 167 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-43 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Yes (Automotive Grade) | — |
| Niveau MSL | MSL1 (260°C peak reflow) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | Compliant (per Infineon product page) |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Technology | — | Trench MOSFET, silicon |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |