IAUC41N06S5L100ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC41N06S5L100ATMA1 par Infineon et IAUCN10S7N021ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUCN10S7N021ATMA1 - 100V N-Ch 2.1mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC41N06S5L100ATMA1 | IAUCN10S7N021ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,43 | $2,05 |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) | OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 41 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC) | 42 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 10 mOhm at VGS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-33 (TDSON-8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101 automotive grade) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Interconnect | Copper clip (low-inductance) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 175 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 2.1 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ | — | 3.2 V |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V | — | 105 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2.98 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 32 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 7.153 nF |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 217 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |