IAUC50N08S5L096ATMA1 vs IAUCN08S7N034ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC50N08S5L096ATMA1 par Infineon et IAUCN08S7N034ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN08S7N034ATMA1 - 80V 120A 3.4mΩ Automotive MOSFET | Infineon
IAUCN08S7N034ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC50N08S5L096ATMA1 | IAUCN08S7N034ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,98 | $1,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 50 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 200 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Power Dissipation (PD) | 60 W (Tc) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL 1 (unlimited floor life) |
| Series | — | OptiMOS™ 7 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 120 A |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 3.4 mΩ |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | — | 3.2 V (typ) |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) | — | 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | — | 1.27 nF |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | — | 3.115 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | — | 23 pF |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 118 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +175°C |