IAUC60N04S6L030HATMA1 vs IAUC100N10S5L040ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC60N04S6L030HATMA1 par Infineon et IAUC100N10S5L040ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC100N10S5L040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC100N10S5L040ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC60N04S6L030HATMA1 | IAUC100N10S5L040ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,94 | $1,94 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 6 | — |
| Configuration | Half-Bridge (2 N-Channel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | 60 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | 3.0 mOhm (typical) | — |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 35 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 2.128 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 596 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | 75 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per part number suffix) | AEC-Q101 qualified |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Part Family | — | OptiMOST 5 Power-Transistor (IAUC) |
| Type de transistor | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | Logic Level |
| Continuous Power Dissipation (Tc) | — | 167 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (junction) |
| MSL Moisture Sensitivity | — | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Avalanche Tested | — | 100% production avalanche tested |
| AOI Compatibility | — | Feasible for automatic optical inspection |