IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUCN04S7N012ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC60N04S6N031HATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N012ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC60N04S6N031HATMA1 | IAUCN04S7N012ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,95 | $1,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) | — |
| Process Technology | OptiMOS 6 40V | — |
| Configuration | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 60 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | 75 W | — |
| R_DS(on) at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (Tj) | -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] |
| Boîtier | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) | PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS-7 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Transistor Grade | — | Automotive (AEC-Q101) |
| Dissipation de puissance (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] |
| Sans halogène | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |