IAUC80N04S6N036ATMA1 vs IAUC100N08S5N043ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC80N04S6N036ATMA1 par Infineon et IAUC100N08S5N043ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC80N04S6N036ATMA1 IAUC80N04S6N036ATMA1 - 40V 80A OptiMOS-6 N-MOSFET | Infineon

IAUC80N04S6N036ATMA1 - 40V 80A OptiMOS-6 N-MOSFET | Infineon

IAUC80N04S6N036ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC80N04S6N036ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $1,72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS-6 40 V —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 80 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 50 W —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 3.6 mOhm —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=4.5V [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V] —
Boîtier PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55°C to +175°C
AEC-Q101 Qualification Qualified (Automotive) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Terminal Finish Tin (Sn) (e3 per JESD-609) —
Peak Reflow Temperature 260 C (per JEDEC J-STD-020) —
Compliance - RoHS Compliant —
Compliance - REACH Compliant —
Part Series — IAUC / OptiMOS 5
Type de transistor — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 100 A (package limited)
Continuous Drain Current (chip-limited) — 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W
Maximum R<sub>DS(on)</sub> — 4.3 mΩ
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 125 W (T<sub>C</sub>)
Nombre de broches — 8
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)
Technology — OptiMOS 5 (Trench)
Channel Mode — Enhancement

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis