IAUC80N04S6N036ATMA1 vs IAUC100N08S5N043ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC80N04S6N036ATMA1 por Infineon e IAUC100N08S5N043ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC80N04S6N036ATMA1 IAUC80N04S6N036ATMA1 - 40V 80A OptiMOS-6 N-MOSFET | Infineon

IAUC80N04S6N036ATMA1 - 40V 80A OptiMOS-6 N-MOSFET | Infineon

IAUC80N04S6N036ATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC80N04S6N036ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $1,72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS-6 40 V —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 80 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 50 W —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 3.6 mOhm —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=4.5V [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V] —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55°C to +175°C
AEC-Q101 Qualification Qualified (Automotive) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Terminal Finish Tin (Sn) (e3 per JESD-609) —
Peak Reflow Temperature 260 C (per JEDEC J-STD-020) —
Compliance - RoHS Compliant —
Compliance - REACH Compliant —
Part Series — IAUC / OptiMOS 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 100 A (package limited)
Continuous Drain Current (chip-limited) — 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W
Maximum R<sub>DS(on)</sub> — 4.3 mΩ
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 125 W (T<sub>C</sub>)
Contagem de pinos — 8
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)
Technology — OptiMOS 5 (Trench)
Channel Mode — Enhancement

Fichas técnicas e recursos

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