IAUC90N10S5N062ATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC90N10S5N062ATMA1 par Infineon et BSZ018NE2LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC90N10S5N062ATMA1 - 100V 90A 6.2mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUC90N10S5N062ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC90N10S5N062ATMA1 | BSZ018NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,95 | $0,39 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 90 A | 40 A |
| Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 6.2 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.8 V | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc=25C) | 115 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5) | OptiMOS (Infineon trench MOSFET) |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (260 C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS / Green Product | Yes (RoHS compliant, Green Product) | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Part Number | — | BSZ018NE2LSIATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 22 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.8 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 69 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Statut RoHS | — | Compliant |