IAUCN04S6N009TATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S6N009TATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N006ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S6N009TATMA1 - 40V 0.9mΩ OptiMOS 6 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN04S6N009TATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S6N009TATMA1 | IAUCN04S7N006ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,71 | $0,95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 40 V | — |
| Part Number | IAUCN04S6N009T | — |
| Ordering Code (MPN) | IAUCN04S6N009TATMA1 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, at Tj) | 330 A | — |
| Power Dissipation (PD, at Tc) | 178 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.9 mΩ | — |
| Boîtier | PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) | PG-TDSON-8-43 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 5 (trench) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | Yes (compliant) |
| Gate Threshold VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 175 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Junction Temperature Max | — | 175 C |
| Power Dissipation Max (Pd) | — | [DATA_NEEDED: Pd max] |
| Gate Charge Total (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |