IAUCN04S6N013TATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S6N013TATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L042GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S6N013TATMA1 - 40V N-Channel Automotive MOSFET | Infineon
IAUCN04S6N013TATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S6N013TATMA1 | IAUCN04S7L042GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,66 | $0,86 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 230 A at T<sub>C</sub> | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (max) | 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 133 W at T<sub>C</sub> | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | 2.6 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V | — |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | 1.08 nF | — |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | 3.7 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | 51 pF | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T) | PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 40V |
| Technology | — | Trench N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 77 A |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 50 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C (Tj) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel enhancement mode |
| Automotive Qualified | — | Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Packing | — | Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) |
| Target Substrate | — | IMS substrate and legacy FR4 designs |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |