IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUC100N04S6N015ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N006ATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6N015ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N006ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,95 $0,78
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 175 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 5 (trench) N-Channel Trench MOSFET
Boîtier PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 C to +175 C (junction, typical)
Junction Temperature Max 175 C —
Power Dissipation Max (Pd) [DATA_NEEDED: Pd max] —
Gate Charge Total (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-6 40V
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) — 100 A
Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) — 100 W
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes

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