IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUC100N04S6N015ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N006ATMA1 por Infineon e IAUC100N04S6N015ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7N006ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,95 $0,78
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 175 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 5 (trench) N-Channel Trench MOSFET
Encapsulamento PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55 C to +175 C (junction, typical)
Junction Temperature Max 175 C —
Power Dissipation Max (Pd) [DATA_NEEDED: Pd max] —
Gate Charge Total (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-6 40V
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) — 100 A
Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) — 100 W
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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