IAUCN04S7N006TATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N006TATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L042GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,66 $0,86
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 425 A —
Power Dissipation (P_D, T_C) 205 W —
R_DS(on) (typ, V_GS=10V) 0.63 mΩ —
Technology OptiMOS 7 (shielded-gate trench) Trench N-Channel MOSFET
Boîtier PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +175C (Tj)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V] —
Automotive Grade Yes (Infineon automotive MOSFET line) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 40V
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

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