IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUC60N10S5L110ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N015GATMA1 par Infineon et IAUC60N10S5L110ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N015GATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,21 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 165 A (Tc) —
Power Dissipation (P_D) 96 W (Tc) —
R_DS(on) max 1.53 mΩ at V_GS=10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Boîtier PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 Single)
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Statut RoHS Compliant —
Type de montage Surface Mount (IMS-compatible source-down) Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per LCSC datasheet snippet)
Series — OptiMOS™-5
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) — 60 A
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) — 88 W
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V — 11 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 1.2 V
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: min/max operating temperature]
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg at specified Vgs]
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
Lead-Free / RoHS — Yes (RoHS compliant per LCSC listing)
Packing Code — ATMA1 (Tape & Reel)
Sans halogène — Yes (per Infineon product classification)
Customer Info / FGR — J52 (per Infineon product data)

Fiches techniques et ressources

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