IAUCN04S7N024HATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N024HATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N019GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N024HATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,98 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-7 40 V —
Configuration Dual N-Channel (independent) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 100 A —
On-Resistance R_DS(on) typ 2.46 mΩ at V_GS = 10 V —
On-Resistance R_DS(on) max [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at 10 V V_GS] —
Maximum Power Dissipation (Tc) 75 W 81 W
Boîtier PG-TDSON-8-56 (SSO8 HB 5x6 mm) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
Technology OptiMOS-7 trench-gate —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total Qg] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Packing Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS 7
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis