IAUCN04S7N024HATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7N024HATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7N019GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUCN04S7N024HATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.98 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-7 40 V —
Configuration Dual N-Channel (independent) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 100 A —
On-Resistance R_DS(on) typ 2.46 mΩ at V_GS = 10 V —
On-Resistance R_DS(on) max [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at 10 V V_GS] —
Maximum Power Dissipation (Tc) 75 W 81 W
패키지 PG-TDSON-8-56 (SSO8 HB 5x6 mm) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
Technology OptiMOS-7 trench-gate —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total Qg] —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Packing Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS 7
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

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