IAUCN04S7N037GATMA1 vs IAUCN04S7L014ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N037GATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L014ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N037GATMA1 | IAUCN04S7L014ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,89 | $1,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 40V Automotive |
| Technology | Trench MOSFET, N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 91 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) typical | 3.65 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 57 W | — |
| Boîtier | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin) |
| Type de montage | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] | -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range) |
| Gate Charge (Qg) typical | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 1.43 mΩ |
| Tension de seuil de grille | — | [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg] |
| Power Dissipation (Pd) | — | [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd] |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Configuration | — | Single N-Channel MOSFET |