IAUCN04S7N037GATMA1 vs IAUCN04S7L014ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7N037GATMA1 от Infineon и IAUCN04S7L014ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,89 $1,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS 5 40V Automotive
Technology Trench MOSFET, N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 91 A —
On-State Resistance RDS(on) typical 3.65 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc 57 W —
Корпус SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin)
Тип монтажа Surface Mount (IMS substrate attach compatible) Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range)
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 120 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.43 mΩ
Пороговое напряжение затвора — [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg]
Power Dissipation (Pd) — [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd]
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Configuration — Single N-Channel MOSFET

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену