IAUCN04S7N037GATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N037GATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N015GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N037GATMA1 | IAUCN04S7N015GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,89 | $2,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | Trench MOSFET, N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 91 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) typical | 3.65 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 57 W | — |
| Boîtier | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount |
| Type de montage | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) | Surface Mount (IMS-compatible source-down) |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] | — |
| Gate Charge (Qg) typical | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 165 A (Tc) |
| Power Dissipation (P_D) | — | 96 W (Tc) |
| R_DS(on) max | — | 1.53 mΩ at V_GS=10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |