IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N056DATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L050HATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N056DATMA1 | IAUCN04S7L050HATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,68 | $0,83 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUCN04S7N056DATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 5 40V | OptiMOS™ 7 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 60 A (Tj) | — |
| RDS(on) (typ) | 5.59 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd) | 41 W (Tc) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging Type | Tape & Reel | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | — | 65 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.04 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 40 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |