IAUCN08S7L013ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7L013ATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN08S7L013ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,96 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7 Power-Transistor
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) 1.26 mΩ —
Courant de drain continu (TC=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] —
Continuous Drain Current (TJ) 293 A —
Power Dissipation (TC) 219 W 136 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
Boîtier PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8 (source-down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
Statut RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel (suffix ATMA1) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Technology — Trench MOSFET, silicon
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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