IAUCN08S7L013ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN08S7L013ATMA1 por Infineon e ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN08S7L013ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,96 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7 Power-Transistor
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) 1.26 mΩ —
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] —
Continuous Drain Current (TJ) 293 A —
Power Dissipation (TC) 219 W 136 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
Encapsulamento PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8 (source-down)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
Status RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel (suffix ATMA1) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Technology — Trench MOSFET, silicon
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Fichas técnicas e recursos

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