IAUCN08S7L024ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7L024ATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN08S7L024ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,68 $0,41
Technology OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET Trench MOSFET, silicon
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 177 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Silicon-limited) 150 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.4 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (PD) 148 W (Tc) —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²) PG-TDSON-8 (source-down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (Tj) -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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