IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUCN08S7L018ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7L033ATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L018ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN08S7L033ATMA1 | IAUCN08S7L018ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,86 | $1,55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | Automotive OptiMOS 7 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 130 A | 210 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 118 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (TJ) | -55 °C to +175 °C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) | Automotive (per Infineon part description) |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc] |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | — | 169 W |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |