IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUCN08S7L018ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUCN08S7L033ATMA1 por Infineon e IAUCN08S7L018ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IAUCN08S7L033ATMA1 | IAUCN08S7L018ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,86 | $1,55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | Automotive OptiMOS 7 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 130 A | 210 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 118 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +175°C (TJ) | -55 °C to +175 °C |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) | Automotive (per Infineon part description) |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc] |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | — | 169 W |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |