IAUCN10S7L290TATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S7L290TATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN10S7L290TATMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,36 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 7 | OptiMOS 5 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 27 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 28.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 45 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| ESD Protection | HBM Class 1C (per Infineon datasheet) | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| Technology | — | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C (junction) |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |