IAUCN10S7L290TATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUCN10S7L290TATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN10S5L280DATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IAUCN10S7L290TATMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.36 | $1.62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 7 | OptiMOS 5 |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 27 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 28.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 45 W | — |
| 動作接合温度 | -55 °C to +175 °C | — |
| パッケージ | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| ESD Protection | HBM Class 1C (per Infineon datasheet) | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| Technology | — | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| 動作温度範囲 | — | -55C to +175C (junction) |
| ピン数 | — | 8 |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |