IAUCN10S7L290TATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S7L290TATMA1 par Infineon et IAUZ40N10S5N130ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN10S7L290TATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,36 | $0,52 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 7 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 27 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | 160 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 28.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 45 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| ESD Protection | HBM Class 1C (per Infineon datasheet) | — |
| Part Number | — | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 (super-junction trench) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 40 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 13 mΩ |
| RDS(on) typical | — | 10 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | — | ROHS3 Compliant |