IAUCN10S7N021ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S7N021ATMA1 par Infineon et ISC080N10NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 - 100V N-Ch 2.1mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN10S7N021ATMA1 | ISC080N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $1,05 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 175 A | 75 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | 2.1 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ | 3.2 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V | 105 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.98 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 32 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7.153 nF | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 217 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™ 6 100V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | — | 8.05 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V at 36 µA |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |